サムスン、モバイル端末向けの1TB内蔵メモリを生産開始。読み書き速度も向上

サムスン電子は、現地時間の1月30日、次世代モバイルアプリケーション向けの内蔵ユニバーサルフラッシュストレージ（eUFS）として、業界初の容量1TBを実現したeUFS 2.1の量産を開始したと発表した。

パッケージサイズは従来の512GB eUFSと同じ13W×11.5Hmmを維持しながらも、同社の16層 512ギガビットV-NANDフラッシュメモリと新開発のコントローラーにより2倍の容量を達成。4Kフォーマットで収録された10分間の動画にして約260本分を保存できるとする。

また、データ伝送速度も向上。データを先頭から順に読み出すシーケンシャルリードの速度は1,000MB／秒で、これは一般的な2.5インチSSDの2倍、microSDカードの10倍にあたる数値だという。また、ランダムリード性能は最大58,000 IOPS、ランダムライト性能は最大50,000 IOPSとどちらも従来モデルより向上しており、スマホカメラで毎秒960フレームの高速連続撮影を実現するという。

同社のメモリー販売＆マーケティング部門 ヴァイスプレジデントのCheol Choi氏は、「1TB eUFSは、次世代モバイル端末でノートブックのようなユーザーエクスペリエンスを実現するため重要な役割を担うと期待される。サムスンは成長を続けるグローバルなモバイル端末市場において、これから発売されるフラグシップスマートフォンのタイムリーな発売を支援するため、最も信頼性の高いサプライチェーンと十分な生産に尽力する」と本件についてコメントしている。

同社では1TB eUFSの需要増加に備え、2019年前半を通して韓国ピョンテク工場での第5世代 512ギガビット V-NANDの生産拡大を計画しているとのこと。