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小型かつ高SNを実現

東芝セミコン、色ノイズを抑えたスマホ用裏面照射CMOSを開発

公開日 2012/11/28 15:15 ファイル・ウェブ編集部
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(株)東芝セミコンダクター&ストレージは、色ノイズ低減回路を搭載したスマートフォン/タブレット端末のカメラ向け裏面照射型CMOSセンサーを開発。2013年5月に量産を開始する。また8メガピクセルでフルHDサイズの製品も順次量産するとのこと。

今回開発された裏面照射型CMOSセンサー

今回開発された製品は、画素サイズ1.12マイクロメートル、解像度13メガピクセルの裏面照射型CMOSセンサー。業界で初めて色ノイズ低減回路(CNR回路)を搭載したのが大きな特徴となる。フレーム間の画像を比較し、色ノイズをデジタルフィルターで抑圧するタイプで、解像感を損ねることなく高画質化。CNR回路非搭載の1.12マイクロメートルサイズセンサー比で約1.5倍のS/N比を実現するという。

薄型軽量化・高性能化が進むスマホ/タブレットにあって、CMOSセンサーも小型化・高解像度化が求められているが、CMOSセンサーの画素を小型化すると、画素への入射光量が減り感度が低下し、色ノイズが増加してしまうという問題があった。今回開発された製品は、この問題を解決したものとなる。

縦横8.5mmのカメラモジュールに実装できるチップサイズのため、これまでと同じカメラモジュールサイズで高解像度化が可能なのも特徴。またフレームレートは30fpsで、プレビューと撮影画像の時間差(シャッタータイムラグ)の縮小や、連続撮影にも貢献するとのこと。

【問い合わせ先】
(株)東芝セミコンダクター&ストレージ
イメージセンサー営業推進担当
TEL/044-548-2825

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