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公開日 2003/02/21 17:49
日立電線、青紫色レーザー用2インチ窒化ガリウム基板を開発
●日立電線(株)は、Blu-ray Disc等の次世代光ディスクに用いられる青紫色レーザー用の2インチ直径低欠陥単結晶窒化ガリウム(GaN)基板の開発に成功し、サンプル製造、販売を開始する。
Blu-ray Discなどで用いられる青紫色レーザーを製造するための基板として、レーザー素子の信頼性向上、生産歩留まり向上の観点から、2インチ直径の低欠陥なフリースタンディング単結晶GaN基板の早急な実用化が求められており、本製品はその需要に応えるもの。
同社は、フリースタンディングGaN基板の画期的な製法として、ボイド形成剥離法と命名した新規技術を開発し、2インチ直径の低欠陥フリースタンディングGaN基板の開発に成功した。
このVAS法は、サファイア基板とGaN成長層との間に、網目構造を有する窒化チタンの薄膜を挟み込んで結晶成長を行う。このとき、窒化チタン膜の界面にミクロンオーダーの微小なボイド(空隙)を多数形成し、GaN結晶にダメージを与えることなく、大面積のGaN結晶を簡単に剥離させることを可能にした。本技術は2インチ直径GaN基板の製法として非常に再現性がよく、将来の大型化も可能となる。
同社では、この2インチGaN基板サンプルの生産、販売を2003年春から開始する予定。また、2004年中には、同社高砂工場において月産300枚の生産体制確立を目指す。(Phile-web編集部)
Blu-ray Discなどで用いられる青紫色レーザーを製造するための基板として、レーザー素子の信頼性向上、生産歩留まり向上の観点から、2インチ直径の低欠陥なフリースタンディング単結晶GaN基板の早急な実用化が求められており、本製品はその需要に応えるもの。
同社は、フリースタンディングGaN基板の画期的な製法として、ボイド形成剥離法と命名した新規技術を開発し、2インチ直径の低欠陥フリースタンディングGaN基板の開発に成功した。
このVAS法は、サファイア基板とGaN成長層との間に、網目構造を有する窒化チタンの薄膜を挟み込んで結晶成長を行う。このとき、窒化チタン膜の界面にミクロンオーダーの微小なボイド(空隙)を多数形成し、GaN結晶にダメージを与えることなく、大面積のGaN結晶を簡単に剥離させることを可能にした。本技術は2インチ直径GaN基板の製法として非常に再現性がよく、将来の大型化も可能となる。
同社では、この2インチGaN基板サンプルの生産、販売を2003年春から開始する予定。また、2004年中には、同社高砂工場において月産300枚の生産体制確立を目指す。(Phile-web編集部)