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公開日 2008/06/11 17:41
ソニー、従来比2倍の感度を持つ裏面照射型CMOSセンサーを開発
ソニー(株)は、高感度・低ノイズを実現する裏面照射型CMOSセンサーの試作開発に成功したことを発表した。画素サイズは1.75um角で、有効画素数は500万画素。60fps撮影にも対応する。デジタルビデオカメラ/デジタルスチルカメラへの搭載が想定されている。
今回開発されたCMOSは、従来の表面照射型とは逆に、シリコン基板側から光を照射するもの。これにより基板表面側の配線やトランジスタが入射光を妨げるという問題点を解消し、単位画素に入る光量を増大させ、入射角変化による感度低下を抑えるという。また、裏面照射型に最適化した独自のフォトダイオード構造とオンチップレンズを新たに開発して採用。従来よりも感度や暗時ランダムノイズを改善し、ノイズや暗電流、欠陥画素を低減。感度は従来比約2倍まで向上したという。
同社は、本CMOS開発によって得た技術により、配線層の多層化や自由なトランジスタ構造を活かした処理の高速化/高ダイナミックレンジ化を実現する高画質センサーの開発に努める、と抱負を述べている。
(Phile-web編集部)
今回開発されたCMOSは、従来の表面照射型とは逆に、シリコン基板側から光を照射するもの。これにより基板表面側の配線やトランジスタが入射光を妨げるという問題点を解消し、単位画素に入る光量を増大させ、入射角変化による感度低下を抑えるという。また、裏面照射型に最適化した独自のフォトダイオード構造とオンチップレンズを新たに開発して採用。従来よりも感度や暗時ランダムノイズを改善し、ノイズや暗電流、欠陥画素を低減。感度は従来比約2倍まで向上したという。
同社は、本CMOS開発によって得た技術により、配線層の多層化や自由なトランジスタ構造を活かした処理の高速化/高ダイナミックレンジ化を実現する高画質センサーの開発に努める、と抱負を述べている。
(Phile-web編集部)